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Infineon Technologies IRF5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
- N.º de pieza del fabricante :IRF5305PBF
- Fabricante :Infineon Technologies
- Dasenic Número de pieza :IRF5305PBF-DS
- Ficha de datos :
IRF5305PBF Ficha de datos
- Descripción : MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
- Paquete :-
- Cantidad :Precio unitario : $ 0.972Total : $ 0.97
- El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
- Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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( MOQ : 1 PCS )Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
Cantidad | Precio unitario | Total |
1 + | $ 0.9720 | $ 0.97 |
10 + | $ 0.6552 | $ 6.55 |
100 + | $ 0.9720 | $ 97.20 |
500 + | $ 0.3640 | $ 182.00 |
1000 + | $ 0.3343 | $ 334.30 |
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Infineon Technologies IRF5305PBF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Active
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:TO-220-3
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-220AB
Disipación de potencia (máxima):110W (Tc)
Tipo F E T:P-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):55 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:31A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4V @ 250µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:63 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1200 pF @ 25 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
Vgs (máximo):±20V
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Infineon Technologies IRF5305PBF
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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