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Infineon Technologies SIDC03D120H6X1SA3

DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :SIDC03D120H6X1SA3
Dasenic Número de pieza :SIDC03D120H6X1SA3-DS
Referencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 1.5200$ 1.52
10+$ 1.3120$ 13.12
100+$ 0.9086$ 90.86
500+$ 0.7592$ 379.6
1000+$ 0.6461$ 646.1
En stock: 899
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.52
Total :$ 1.52
Entrega :
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Pago :
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SIDC03D120H6X1SA3 información

  • Infineon Technologies SIDC03D120H6X1SA3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • Estado del producto:Discontinued at Digi-Key
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • Paquete / Caja:Die
  • Paquete de dispositivo del proveedor:Sawn on foil
  • Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Tipo de diodo:Standard
  • Corriente - Promedio Rectificado ( Io):3A (DC)
  • Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.6 V @ 3 A
  • Corriente - Fuga inversa @ Vr:27 µA @ 1200 V
  • Capacitancia @ Vr, F:-
  • Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
  • Tiempo de recuperación inversa (trr):-
  • Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 150°C
  • Estado RoHS de la UE:RoHS non-compliant
  • Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
  • Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • HTS EE. UU.:8541.10.0080
  • Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIDC03D120H6X1SA3 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) es un líder mundial en semiconductores para sistemas de energía e IoT. Infineon impulsa la descarbonización y la digitalización con sus productos y soluciones. Los productos semiconductores de la empresa incluyen ASIC, circuitos integrados de gestión de baterías, soluciones de relojes y temporización, protección contra descargas electroestáticas y sobretensiones, microcontroladores de memoria, soluciones de RF, seguridad y tarjetas inteligentes, sensores, transistores y diodos de señal pequeña, transceptores, conectividad inalámbrica, software y más. Estos productos se utilizan en aplicaciones de IoT, energía industrial ecológica, automoción, gestión de energía, soluciones de detección y seguridad. Infineon Technologies se fundó en 1999 como una escisión de Siemens AG. La empresa tiene su sede en Neubiberg, cerca de Múnich, Alemania, y cuenta con aproximadamente 56.200 empleados y 155 sucursales en todo el mundo.
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