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Infineon Technologies SIDC08D120F6X1SA3
DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER
N.º de pieza del fabricante :SIDC08D120F6X1SA3
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :SIDC08D120F6X1SA3-DS
Ficha de datos :
SIDC08D120F6X1SA3 Ficha de datos
SIDC08D120F6X1SA3 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER
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SIDC08D120F6X1SA3 información
Infineon Technologies SIDC08D120F6X1SA3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Discontinued at Digi-Key
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:Die
- サプライヤーデバイスパッケージ:Sawn on foil
- スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- ダイオードタイプ:Standard
- 電流 - 平均整流 ( Io):7A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2.1 V @ 7 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:27 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:-
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):-
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
SIDC08D120F6X1SA3 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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