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Integra Technologies IGN2729M400R2
GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
- N.º de pieza del fabricante :IGN2729M400R2
- Fabricante :Integra Technologies
- Dasenic Número de pieza :IGN2729M400R2-DS
- Ficha de datos :
IGN2729M400R2 Ficha de datos - Descripción : GAN, RF POWER TRANSISTOR, S-BAND
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Integra Technologies IGN2729M400R2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Estado del producto:Active
Voltaje - Nominal:-
Paquete / Caja:-
Frecuencia:-
Corriente nominal (amperios):-
Paquete de dispositivo del proveedor:-
Potencia - Salida:-
Tipo de transistor:-
Ganar:-
Voltaje - Prueba:-
Figura de ruido:-
Actual - Prueba:-
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0075
Estado de ALCANCE:REACH is not affected
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
Integra Technologies IGN2729M400R2
Integra Technologies diseña y fabrica las soluciones de potencia de RF más avanzadas para los sistemas de radar de más alto rendimiento en todo el mundo. Nuestros productos incluyen transistores de potencia de RF GaN, transistores de potencia de RF de silicio, transistores de potencia de RF de 50 ohmios, paletas de amplificadores de potencia de RF, etc. Nos centramos en los mercados de alto rendimiento y ofrecemos soluciones listas para usar, semipersonalizadas y personalizadas para radares aeroespaciales y de defensa, control de tráfico aéreo, radares meteorológicos, aviónica, enlaces de datos, guerra electrónica, así como aplicaciones médicas e industriales. No solo respaldamos sus aplicaciones actuales de sistemas de radar de banda UHF a X con una selección completa de los transistores de potencia de RF preemparejados y totalmente emparejados de alta potencia más avanzados y módulos amplificadores de potencia de RF integrados, sino que también estamos comprometidos a respaldar sus programas heredados y sus requisitos de diseño personalizado.
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