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IXYS DHG20C600PB
DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB
N.º de pieza del fabricante :DHG20C600PB
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :DHG20C600PB-DS
Ficha de datos :
DHG20C600PB Ficha de datos
DHG20C600PB Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2.5200 | $ 2.52 |
| 10+ | $ 1.6110 | $ 16.11 |
| 100+ | $ 1.2960 | $ 129.6 |
| 500+ | $ 1.2600 | $ 630 |
En stock: 1542
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 2.52
Total :$ 2.52
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DHG20C600PB información
IXYS DHG20C600PB especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
- Estado del producto:Active
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-220-3
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-220-3
- Velocidad:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Tipo de diodo:Standard
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:2.37 V @ 10 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:15 µA @ 600 V
- Configuración de diodos:1 Pair Common Cathode
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):600 V
- Corriente rectificada promedio ( Io) (por diodo):10A
- Tiempo de recuperación inversa (trr):35 ns
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 150°C
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DHG20C600PB fornecido por IXYS
Desde su fundación en Silicon Valley en 1983, IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ha sido pionera a nivel mundial en el desarrollo de semiconductores de potencia, relés de estado sólido, circuitos integrados de alto voltaje y microcontroladores. Con una base de clientes finales de más de 3500 en las industrias industrial, automotriz, de comunicaciones, de consumo, médica y de transporte, IXYS es un proveedor reconocido a nivel mundial de semiconductores avanzados. IXYS se centra en diversas tecnologías de semiconductores, incluidos MOSFET de potencia, IGBT (transistores bipolares de puerta aislada), rectificadores, tiristores, diodos y otras soluciones de semiconductores discretas e integradas. La empresa también fabrica circuitos integrados de señal mixta y analógicos, amplificadores de potencia de RF y circuitos integrados de gestión de energía. En enero de 2018, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) finalizó la adquisición de IXYS Corporation y IXYS fue excluida de la lista del NASDAQ.
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