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IXYS E1780TG65E

Name: E1780TG65E
Brand: IXYS
SKU: E1780TG65E-DS
Price: 3194.9400 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (42 reviews)

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Hersteller Modell :E1780TG65E
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :E1780TG65E-DS
Dokument : E1780TG65E Dokument PDF
Beschreibung : DIODE GEN PURP 3.6KV 1780A -
Verpackung :-
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IXYS E1780TG65E technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.

Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single

製品ステータス:Active

取り付けタイプ:Chassis Mount

パッケージ/ケース:TO-200AF

サプライヤーデバイスパッケージ:-

スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

ダイオードタイプ:Standard

電流 - 平均整流 ( Io):1780A

電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:3.83 V @ 1.78 kA

電流 - 逆方向漏れ @ Vr:100 mA @ 3600 V

静電容量 @ Vr、 F:-

電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):3600 V

逆回復時間 (trr):1.22 µs

動作温度 - 接合部:-40°C ~ 140°C

EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant

モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)

REACH規則:REACH Unaffected

輸出規制分類番号:EAR99

HTS 米国:8541.10.0080

中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

E1780TG65E bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。