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IXYS IXFH16N120P
N.º de pieza del fabricante :IXFH16N120P
Fabricante :IXYS
Dasenic Número de pieza :IXFH16N120P-DS
Ficha de datos : IXFH16N120P Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
En stock: 19560
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IXFH16N120P información
IXYS IXFH16N120P especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-247-3
- Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247AD (IXFH)
- Disipación de potencia (máxima):660W (Tc)
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1200 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:16A (Tc)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:950mOhm @ 8A, 10V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:6.5V @ 1mA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:120 nC @ 10 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:6900 pF @ 25 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):10V
- Vgs (máximo):±30V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXFH16N120P fornecido por IXYS
Desde su fundación en Silicon Valley en 1983, IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ha sido pionera a nivel mundial en el desarrollo de semiconductores de potencia, relés de estado sólido, circuitos integrados de alto voltaje y microcontroladores. Con una base de clientes finales de más de 3500 en las industrias industrial, automotriz, de comunicaciones, de consumo, médica y de transporte, IXYS es un proveedor reconocido a nivel mundial de semiconductores avanzados. IXYS se centra en diversas tecnologías de semiconductores, incluidos MOSFET de potencia, IGBT (transistores bipolares de puerta aislada), rectificadores, tiristores, diodos y otras soluciones de semiconductores discretas e integradas. La empresa también fabrica circuitos integrados de señal mixta y analógicos, amplificadores de potencia de RF y circuitos integrados de gestión de energía. En enero de 2018, Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) finalizó la adquisición de IXYS Corporation y IXYS fue excluida de la lista del NASDAQ.
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