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  • IXYS IXTP1R6N50D2

    MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :IXTP1R6N50D2
  • Fabricante :IXYS
  • Dasenic Número de pieza :IXTP1R6N50D2-DS
  • Ficha de datos :pdf download IXTP1R6N50D2 Ficha de datos
  • Descripción : MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 2.952Total : $ 2.95
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 1819
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
1 +$ 2.9520$ 2.95
25 +$ 2.4480$ 61.20
50 +$ 1.7730$ 88.65
100 +$ 1.6200$ 162.00
250 +$ 1.5300$ 382.50

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IXYS IXTP1R6N50D2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-3
消費電力(最大):100W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:Depletion Mode
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):500 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:1.6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:23.7 nC @ 5 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:645 pF @ 25 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):-
Vgs (最大):±20V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXTP1R6N50D2
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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