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  • IXYS IXYP20N120C4

    IGBT DISCRETE TO-220
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :IXYP20N120C4
  • Fabricante :IXYS
  • Dasenic Número de pieza :IXYP20N120C4-DS
  • Ficha de datos :pdf download IXYP20N120C4 Ficha de datos
  • Descripción : IGBT DISCRETE TO-220
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 12.3961Total : $ 12.40
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 1207
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
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IXYS IXYP20N120C4 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-220-3
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:375 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220 (IXYP)
逆回復時間 (trr):53 ns
電流 - コレクター ( Ic) (最大):68 A
電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
I G B Tタイプ:-
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.5V @ 15V, 20A
電流 - コレクタパルス ( Icm):120 A
エネルギーの切り替え:4.4mJ (on), 1mJ (off)
ゲートチャージ:44 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:14ns/160ns
テスト条件:960V, 20A, 10Ohm, 15V
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXYP20N120C4
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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