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Nexperia USA Inc. BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
N.º de pieza del fabricante :BSS123,215
Fabricante :Nexperia USA Inc.
Dasenic Número de pieza :BSS123,215-DS
Ficha de datos :
BSS123,215 Ficha de datos
BSS123,215 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.0228 | $ 0.02 |
| 25+ | $ 0.0223 | $ 0.56 |
| 100+ | $ 0.0214 | $ 2.14 |
| 500+ | $ 0.0205 | $ 10.25 |
| 1000+ | $ 0.0194 | $ 19.4 |
En stock: 19999
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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BSS123,215 información
Nexperia USA Inc. BSS123,215 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-236AB
- 消費電力（最大）:250mW (Ta)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:150mA (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:6Ohm @ 120mA, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.8V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:40 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BSS123,215 fornecido por Nexperia USA Inc.
Nexperia は、2017 年に NXP Semiconductors から分離して設立されたオランダの半導体企業です。Nexperia はオランダのナイメーヘンに本社を置き、アジア、ヨーロッパ、米国に製造施設を構えています。Nexperia USA Inc. は、米国の顧客にサービスを提供するために設立された Nexperia の子会社です。同社は、自動車、モバイル、コンピューティング、コンシューマー、産業など、さまざまな業界向けに幅広い半導体ソリューションを提供しています。Nexperia USA Inc. が提供する製品には、ダイオード、トランジスタ、ESD 保護デバイス、ロジック IC、電源管理 IC などがあります。同社はカリフォルニアに本社を置き、全国に営業所とエンジニアリング オフィスを構えています。Nexperia USA Inc. は、北米の顧客向けに技術サポート、設計サービス、製品流通を提供しています。
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