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NTE Electronics Inc. NTE2018
N.º de pieza del fabricante :NTE2018
Fabricante :NTE Electronics Inc.
Dasenic Número de pieza :NTE2018-DS
Ficha de datos : NTE2018 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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NTE2018 información
NTE Electronics Inc. NTE2018 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-20°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:18-DIP (0.300", 7.62mm)
- パワー - 最大:1W
- サプライヤーデバイスパッケージ:18-PDIP
- トランジスタタイプ:8 NPN Darlington
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):600mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:1.6V @ 350mA, 500A
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):-
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:-
- 周波数 - 遷移:-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH info available upon request
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.31.0000
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NTE2018 fornecido por NTE Electronics Inc.
1979 年にニュージャージー州で設立された NTE Electronics, Inc は、全製品ラインに 10 種類の半導体を持つ小さな町のサプライヤから、業界最大のアフターマーケット半導体サプライヤに成長しました。現在、当社の製品ラインは 23,000 種類を超えるデバイスで構成されています。2001 年 1 月、NTE は Philips NA の ECG 部門の資産を買収しました。これにより、NTE は、産業、商業、消費者、および MRO 市場にプライベート ラベルのアフターマーケット電子部品を供給する業界リーダーになりました。ニュージャージー州ブルームフィールドにある NTE の 40,000 平方フィートの本社には、世界中の認定販売店ネットワークに電子部品を継続的に供給するために必要なすべてのサービスと在庫が一元化されています。NTE のデバイスは品質テスト済みで、NASA の宇宙プロジェクト、ドイツの自動車、病院/医療用途、および事実上あらゆる種類の消費者製品に使用されています。
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