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Onsemi 1N4006GP
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
N.º de pieza del fabricante :1N4006GP
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :1N4006GP-DS
Ficha de datos :
1N4006GP Ficha de datos
1N4006GP Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.1630 | $ 1.63 |
| 25000+ | $ 0.0815 | $ 2037.5 |
| 50000+ | $ 0.0756 | $ 3780 |
| 75000+ | $ 0.0815 | $ 6112.5 |
| 125000+ | $ 0.0710 | $ 8875 |
En stock: 852
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 0.163
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1N4006GP información
Onsemi 1N4006GP especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Estado del producto:Obsolete
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:DO-204AL, DO-41, Axial
- Paquete de dispositivo del proveedor:DO-41
- Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Tipo de diodo:Standard
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):1A
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:1.1 V @ 1 A
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:10 µA @ 800 V
- Capacitancia @ Vr, F:15pF @ 4V, 1MHz
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):800 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr):-
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 175°C
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.10.0080
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
1N4006GP fornecido por Onsemi
Fundada en 1999, ON Semiconductor (Nasdaq: ON) se centra en los mercados finales de la industria y la automoción, y está acelerando el cambio en megatendencias como la electrificación y la seguridad de los vehículos, las redes de energía sostenibles, la automatización industrial y la infraestructura 5G y en la nube. Onsemi ofrece una cartera diversa de productos semiconductores, que incluyen módulos discretos y de potencia, gestión de la energía, acondicionamiento y control de señales, sensores, control de motores, productos personalizados y ASSP, interfaces, conectividad inalámbrica, sincronización, lógica y memoria. Con una cartera de productos altamente diferenciada e innovadora, onsemi crea tecnologías inteligentes de energía y detección que resuelven los desafíos más complejos del mundo y lideran el camino en la creación de un mundo más seguro, limpio e inteligente. Con sede en Arizona, EE. UU., la empresa tiene una infraestructura sólida que incluye una extensa red de 19 plantas de fabricación, 43 centros de diseño y 8 centros de ingeniería de soluciones.
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