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Onsemi FDS5690-NBBM009A
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :FDS5690-NBBM009A
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :FDS5690-NBBM009A-DS
Ficha de datos :
FDS5690-NBBM009A Ficha de datos
FDS5690-NBBM009A Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.5624 | $ 0.56 |
| 25+ | $ 0.5512 | $ 13.78 |
| 100+ | $ 0.5287 | $ 52.87 |
| 500+ | $ 0.5062 | $ 253.1 |
| 1000+ | $ 0.4781 | $ 478.1 |
En stock: 7500
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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FDS5690-NBBM009A información
Onsemi FDS5690-NBBM009A especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 消費電力（最大）:-
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:7A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:28mOhm @ 7A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:32 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1107 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:-
- Vgs (最大):-
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
FDS5690-NBBM009A fornecido por Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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