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Onsemi NDD03N80ZT4G
MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3
N.º de pieza del fabricante :NDD03N80ZT4G
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :NDD03N80ZT4G-DS
Ficha de datos :
NDD03N80ZT4G Ficha de datos
NDD03N80ZT4G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK-3
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.3891 | $ 0.39 |
| 25+ | $ 0.3813 | $ 9.53 |
| 100+ | $ 0.3658 | $ 36.58 |
| 500+ | $ 0.3502 | $ 175.1 |
| 1000+ | $ 0.3308 | $ 330.8 |
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MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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NDD03N80ZT4G información
Onsemi NDD03N80ZT4G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK-3
- 消費電力（最大）:96W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):800 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.9A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.5Ohm @ 1.2A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 50µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:17 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:440 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NDD03N80ZT4G fornecido por Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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