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Onsemi NDD60N550U1T4G

MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :NDD60N550U1T4G
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :NDD60N550U1T4G-DS
Referencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
100+$ 2.4000$ 240
500+$ 2.2000$ 1100
1000+$ 1.9780$ 1978
2500+$ 1.6060$ 4015
5000+$ 1.5540$ 7770
En stock: 1604
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.4
Total :$ 2.40
Entrega :
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Pago :
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NDD60N550U1T4G información

  • Onsemi NDD60N550U1T4G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK
  • 消費電力(最大):94W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:8.2A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:550mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 250µA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:18 nC @ 10 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:540 pF @ 50 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):10V
  • Vgs (最大):±25V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NDD60N550U1T4G fornecido por Onsemi
1999 年に設立された ON Semiconductor (Nasdaq: ON) は、自動車および産業用エンド マーケットに注力しており、車両の電動化と安全性、持続可能なエネルギー グリッド、産業オートメーション、5G およびクラウド インフラストラクチャなどのメガトレンドの変化を加速しています。Onsemi は、ディスクリートおよび電源モジュール、電源管理、信号調整および制御、センサー、モーター制御、カスタムおよび ASSP、インターフェイス、ワイヤレス接続、タイミング、ロジックおよびメモリなど、多様な半導体製品ポートフォリオを提供しています。高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、Onsemi は世界で最も複雑な課題を解決するインテリジェントな電源およびセンシング技術を生み出し、より安全でクリーン、そしてスマートな世界の実現をリードしています。米国アリゾナ州に本社を置く同社は、19 の製造拠点、43 のデザイン センター、8 つのソリューション エンジニアリング センターの広範なネットワークを含む堅牢なインフラストラクチャを備えています。
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