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Onsemi NTJD4001NT2G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
N.º de pieza del fabricante :NTJD4001NT2G
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :NTJD4001NT2G-DS
Ficha de datos :
NTJD4001NT2G Ficha de datos
NTJD4001NT2G Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.2864 | $ 2.86 |
| 6000+ | $ 0.1591 | $ 954.6 |
| 9000+ | $ 0.1409 | $ 1268.1 |
| 30000+ | $ 0.1391 | $ 4173 |
| 75000+ | $ 0.1182 | $ 8865 |
En stock: 2892
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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NTJD4001NT2G información
Onsemi NTJD4001NT2G especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Estado del producto:Obsolete
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Potencia - Máxima:272mW
- Paquete de dispositivo del proveedor:SC-88/SC70-6/SOT-363
- Tipo F E T:2 N-Channel (Dual)
- Función F E T:Standard
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):30V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:250mA
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:1.5Ohm @ 10mA, 4V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:1.5V @ 100µA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:1.3nC @ 5V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:33pF @ 5V
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.21.0095
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NTJD4001NT2G fornecido por Onsemi
Fundada en 1999, ON Semiconductor (Nasdaq: ON) se centra en los mercados finales de la industria y la automoción, y está acelerando el cambio en megatendencias como la electrificación y la seguridad de los vehículos, las redes de energía sostenibles, la automatización industrial y la infraestructura 5G y en la nube. Onsemi ofrece una cartera diversa de productos semiconductores, que incluyen módulos discretos y de potencia, gestión de la energía, acondicionamiento y control de señales, sensores, control de motores, productos personalizados y ASSP, interfaces, conectividad inalámbrica, sincronización, lógica y memoria. Con una cartera de productos altamente diferenciada e innovadora, onsemi crea tecnologías inteligentes de energía y detección que resuelven los desafíos más complejos del mundo y lideran el camino en la creación de un mundo más seguro, limpio e inteligente. Con sede en Arizona, EE. UU., la empresa tiene una infraestructura sólida que incluye una extensa red de 19 plantas de fabricación, 43 centros de diseño y 8 centros de ingeniería de soluciones.
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