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IDT, Integrated Device Technology Inc CR08AS-12-T14#F10
CR08AS - 600V Thyristor, Low Pow
N.º de pieza del fabricante :CR08AS-12-T14#F10
Fabricante :IDT, Integrated Device Technology Inc
Dasenic Número de pieza :CR08AS-12-T14#F10-DS
Ficha de datos :
CR08AS-12-T14#F10 Ficha de datos
CR08AS-12-T14#F10 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : CR08AS - 600V Thyristor, Low Pow
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 228+ | $ 1.4355 | $ 327.29 |
| 230+ | $ 1.4058 | $ 323.33 |
| 460+ | $ 1.3761 | $ 633.01 |
| 1200+ | $ 1.3464 | $ 1615.68 |
| 2300+ | $ 1.3167 | $ 3028.41 |
En stock: 21
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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CR08AS-12-T14#F10 información
IDT, Integrated Device Technology Inc CR08AS-12-T14#F10 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors - SCRs
- Estado del producto:Obsolete
- Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:TO-243AA
- Paquete de dispositivo del proveedor:UPAK
- Corriente - Mantener ( Ih) ( Máx.):3 mA
- Voltaje - Estado apagado:600 V
- Corriente - Estado encendido ( It ( A V)) ( Máx.):800 mA
- Corriente - Estado encendido ( It ( R M S)) ( Máx.):1.26 A
- Voltaje - Disparador de compuerta ( Vgt) ( Máx.):800 mV
- Corriente - Disparador de compuerta ( Igt) ( Máx.):100 µA
- Corriente - Sin repetición, sobretensión de 50, 60 Hz ( Itsm):10A @ 60Hz
- Voltaje - Estado encendido ( Vtm) ( Máx.):1.5 V
- Corriente - Estado apagado (máx.):500 µA
- Tipo de S C R:Standard Recovery
- Embalaje:Bulk
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
- ECCN de EE. UU.:Provided as per user requirements
- Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
CR08AS-12-T14#F10 fornecido por IDT, Integrated Device Technology Inc
Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723) es el principal proveedor mundial de microcontroladores y un proveedor preferente de soluciones avanzadas de semiconductores. Renesas Electronics se estableció en noviembre de 2002 a través de la fusión de dos importantes empresas japonesas de semiconductores: Hitachi Semiconductor y Mitsubishi Electric. Como líder mundial en microcontroladores, productos analógicos, de potencia y SoC, Renesas ofrece soluciones integrales para una amplia gama de aplicaciones, incluidas las de automoción, industriales, electrónica doméstica, automatización de oficinas y tecnología de la comunicación de la información. La sede mundial de la empresa se encuentra en Tokio. Renesas Electronics tiene una importante presencia mundial, con oficinas, centros de investigación y desarrollo, instalaciones de fabricación y operaciones de ventas en Europa, Oriente Medio, Asia y América del Norte.
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