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IDT, Integrated Device Technology Inc CR02AM-8#BD0
100uA 470mA 10A@60Hz TO-92 TRIACs
N.º de pieza del fabricante :CR02AM-8#BD0
Fabricante :IDT, Integrated Device Technology Inc
Dasenic Número de pieza :CR02AM-8#BD0-DS
Ficha de datos :
CR02AM-8#BD0 Ficha de datos
CR02AM-8#BD0 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : 100uA 470mA 10A@60Hz TO-92 TRIACs
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.1972 | $ 0.2 |
| 100+ | $ 0.1845 | $ 18.45 |
| 1000+ | $ 0.1739 | $ 173.9 |
| 10000+ | $ 0.1590 | $ 1590 |
En stock: 45320
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 0.1972
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CR02AM-8#BD0 información
IDT, Integrated Device Technology Inc CR02AM-8#BD0 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Thyristors - SCRs
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 125°C (TJ)
- Tipo de montaje:Through Hole
- Paquete / Caja:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-92
- Corriente - Mantener ( Ih) ( Máx.):3 mA
- Voltaje - Estado apagado:400 V
- Corriente - Estado encendido ( It ( A V)) ( Máx.):300 mA
- Corriente - Estado encendido ( It ( R M S)) ( Máx.):470 mA
- Voltaje - Disparador de compuerta ( Vgt) ( Máx.):800 mV
- Corriente - Disparador de compuerta ( Igt) ( Máx.):100 µA
- Corriente - Sin repetición, sobretensión de 50, 60 Hz ( Itsm):10A @ 60Hz
- Voltaje - Estado encendido ( Vtm) ( Máx.):1.6 V
- Corriente - Estado apagado (máx.):100 µA
- Tipo de S C R:Sensitive Gate
- Número de producto base:CR02AM-8
- Embalaje:Bag
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.30.0080
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
CR02AM-8#BD0 fornecido por IDT, Integrated Device Technology Inc
Renesas Electronics Corporation (TSE: 6723) es el principal proveedor mundial de microcontroladores y un proveedor preferente de soluciones avanzadas de semiconductores. Renesas Electronics se estableció en noviembre de 2002 a través de la fusión de dos importantes empresas japonesas de semiconductores: Hitachi Semiconductor y Mitsubishi Electric. Como líder mundial en microcontroladores, productos analógicos, de potencia y SoC, Renesas ofrece soluciones integrales para una amplia gama de aplicaciones, incluidas las de automoción, industriales, electrónica doméstica, automatización de oficinas y tecnología de la comunicación de la información. La sede mundial de la empresa se encuentra en Tokio. Renesas Electronics tiene una importante presencia mundial, con oficinas, centros de investigación y desarrollo, instalaciones de fabricación y operaciones de ventas en Europa, Oriente Medio, Asia y América del Norte.
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