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Onsemi FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
N.º de pieza del fabricante :FDN306P
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :FDN306P-DS
Ficha de datos :
FDN306P Ficha de datos
FDN306P Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.1145 | $ 1.15 |
| 3000+ | $ 0.0636 | $ 190.8 |
| 6000+ | $ 0.0581 | $ 348.6 |
| 9000+ | $ 0.0636 | $ 572.4 |
| 15000+ | $ 0.0520 | $ 780 |
En stock: 36531
MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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FDN306P información
Onsemi FDN306P especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:SOT-23-3
- Disipación de potencia (máxima):500mW (Ta)
- Tipo F E T:P-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):12 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:2.6A (Ta)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:40mOhm @ 2.6A, 4.5V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:1.5V @ 250µA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:17 nC @ 4.5 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1138 pF @ 6 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):1.8V, 4.5V
- Vgs (máximo):±8V
- Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH is not affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FDN306P fornecido por Onsemi
Fundada en 1999, ON Semiconductor (Nasdaq: ON) se centra en los mercados finales de la industria y la automoción, y está acelerando el cambio en megatendencias como la electrificación y la seguridad de los vehículos, las redes de energía sostenibles, la automatización industrial y la infraestructura 5G y en la nube. Onsemi ofrece una cartera diversa de productos semiconductores, que incluyen módulos discretos y de potencia, gestión de la energía, acondicionamiento y control de señales, sensores, control de motores, productos personalizados y ASSP, interfaces, conectividad inalámbrica, sincronización, lógica y memoria. Con una cartera de productos altamente diferenciada e innovadora, onsemi crea tecnologías inteligentes de energía y detección que resuelven los desafíos más complejos del mundo y lideran el camino en la creación de un mundo más seguro, limpio e inteligente. Con sede en Arizona, EE. UU., la empresa tiene una infraestructura sólida que incluye una extensa red de 19 plantas de fabricación, 43 centros de diseño y 8 centros de ingeniería de soluciones.
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