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Onsemi FDT86106LZ
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
N.º de pieza del fabricante :FDT86106LZ
Fabricante :Onsemi
Dasenic Número de pieza :FDT86106LZ-DS
Ficha de datos :
FDT86106LZ Ficha de datos
FDT86106LZ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT223-4
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 75+ | $ 0.6363 | $ 47.72 |
| 175+ | $ 0.5220 | $ 91.35 |
| 270+ | $ 0.5058 | $ 136.57 |
| 370+ | $ 0.4896 | $ 181.15 |
| 480+ | $ 0.4734 | $ 227.23 |
En stock: 27610
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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FDT86106LZ información
Onsemi FDT86106LZ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:TO-261-4, TO-261AA
- Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
- Paquete de dispositivo del proveedor:SOT-223-4
- Disipación de potencia (máxima):2.2W (Ta)
- Tipo F E T:N-Channel
- Función F E T:-
- Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):100 V
- Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:3.2A (Ta)
- Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:108mOhm @ 3.2A, 10V
- Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.2V @ 250µA
- Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:7 nC @ 10 V
- Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:315 pF @ 50 V
- Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):4.5V, 10V
- Vgs (máximo):±20V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8541.29.0095
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
FDT86106LZ fornecido por Onsemi
Fundada en 1999, ON Semiconductor (Nasdaq: ON) se centra en los mercados finales de la industria y la automoción, y está acelerando el cambio en megatendencias como la electrificación y la seguridad de los vehículos, las redes de energía sostenibles, la automatización industrial y la infraestructura 5G y en la nube. Onsemi ofrece una cartera diversa de productos semiconductores, que incluyen módulos discretos y de potencia, gestión de la energía, acondicionamiento y control de señales, sensores, control de motores, productos personalizados y ASSP, interfaces, conectividad inalámbrica, sincronización, lógica y memoria. Con una cartera de productos altamente diferenciada e innovadora, onsemi crea tecnologías inteligentes de energía y detección que resuelven los desafíos más complejos del mundo y lideran el camino en la creación de un mundo más seguro, limpio e inteligente. Con sede en Arizona, EE. UU., la empresa tiene una infraestructura sólida que incluye una extensa red de 19 plantas de fabricación, 43 centros de diseño y 8 centros de ingeniería de soluciones.
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