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Rochester Electronics MUN5213DW1T1
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363
N.º de pieza del fabricante :MUN5213DW1T1
Fabricante :Rochester Electronics
Dasenic Número de pieza :MUN5213DW1T1-DS
Ficha de datos :
MUN5213DW1T1 Ficha de datos
MUN5213DW1T1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT363
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.0512 | $ 0.05 |
| 25+ | $ 0.0502 | $ 1.26 |
| 100+ | $ 0.0482 | $ 4.82 |
| 500+ | $ 0.0461 | $ 23.05 |
| 1000+ | $ 0.0436 | $ 43.6 |
En stock: 25200
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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MUN5213DW1T1 información
Rochester Electronics MUN5213DW1T1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
- 製品ステータス:Obsolete
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- パワー - 最大:250mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:SC-88/SC70-6/SOT-363
- トランジスタタイプ:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:250mV @ 300µA, 10mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:500nA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:80 @ 5mA, 10V
- 周波数 - 遷移:-
- 抵抗器 - ベース ( R1):47kOhms
- 抵抗器 - エミッタ ベース ( R2):47kOhms
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
MUN5213DW1T1 fornecido por Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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