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Rohm Semiconductor BSM250D17P2E004
HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
N.º de pieza del fabricante :BSM250D17P2E004
Fabricante :Rohm Semiconductor
Dasenic Número de pieza :BSM250D17P2E004-DS
Ficha de datos :
BSM250D17P2E004 Ficha de datos
BSM250D17P2E004 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 902.4120 | $ 902.41 |
| 5+ | $ 889.2360 | $ 4446.18 |
| 10+ | $ 876.0690 | $ 8760.69 |
| 25+ | $ 823.3650 | $ 20584.13 |
| 50+ | $ 790.4340 | $ 39521.7 |
En stock: 1579
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 902.412
Total :$ 902.41
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BSM250D17P2E004 información
Rohm Semiconductor BSM250D17P2E004 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- パワー - 最大:1800W (Tc)
- サプライヤーデバイスパッケージ:Module
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Half Bridge)
- F E T機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700V (1.7kV)
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:250A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 66mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:30000pF @ 10V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BSM250D17P2E004 fornecido por ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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