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Rohm Semiconductor RS1P600BHTB1
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
N.º de pieza del fabricante :RS1P600BHTB1
Fabricante :Rohm Semiconductor
Dasenic Número de pieza :RS1P600BHTB1-DS
Ficha de datos :
RS1P600BHTB1 Ficha de datos
RS1P600BHTB1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2.3634 | $ 2.36 |
| 10+ | $ 1.7730 | $ 17.73 |
| 50+ | $ 1.1817 | $ 59.09 |
| 100+ | $ 0.9459 | $ 94.59 |
| 500+ | $ 0.8865 | $ 443.25 |
En stock: 13725
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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RS1P600BHTB1 información
Rohm Semiconductor RS1P600BHTB1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-HSOP
- 消費電力（最大）:3W (Ta), 35W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:18A (Ta), 60A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:8.8mOhm @ 18A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:64 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:4080 pF @ 50 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:6V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
RS1P600BHTB1 fornecido por ROHM Semiconductor
ロームセミコンダクター（TYO:6963）は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM（統合デバイスメーカーとしての垂直統合）、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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