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  • ROHM Semiconductor SCT2H12NYTB

    SICFET N-CH 1700V 4A TO268
  • part number has RoHS
  • N.º de pieza del fabricante :SCT2H12NYTB
  • Fabricante :ROHM Semiconductor
  • Dasenic Número de pieza :SCT2H12NYTB-DS
  • Ficha de datos :pdf download SCT2H12NYTB Ficha de datos
  • Descripción : SICFET N-CH 1700V 4A TO268
  • Paquete :-
  • Cantidad :
    Precio unitario : $ 3.5307Total : $ 3.53
  • El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
  • Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
  • Entrega :
    dhlupsfedex
  • Pago :
    paypalwiretransferpaypal02paypal04
En stock: 6216
( MOQ : 1 PCS )
Precio (USD) : * Todos los precios están en USD
CantidadPrecio unitarioTotal
1 +$ 3.5307$ 3.53
10 +$ 2.8953$ 28.95
50 +$ 2.2932$ 114.66
100 +$ 2.1780$ 217.80
500 +$ 2.0286$ 1014.30

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ROHM Semiconductor SCT2H12NYTB especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
製品ステータス:Active
動作温度:175°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-268
消費電力(最大):44W (Tc)
F E Tタイプ:N-Channel
F E T機能:-
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1700 V
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 410µA
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:14 nC @ 18 V
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:184 pF @ 800 V
駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):18V
Vgs (最大):+22V, -6V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ROHM Semiconductor SCT2H12NYTB
ロームセミコンダクター(TYO:6963)は、世界有数の半導体・電子部品メーカーです。1958年に設立され、京都に本社を置く多国籍グループ企業です。ロームは設立以来60年以上にわたり、設計・製造技術、品質保証技術、ソリューション提案力を培い、事業領域を拡大してきました。長い歴史の中で蓄積されたこれらの技術と能力は、インテグラルテクノロジー、IDM(統合デバイスメーカーとしての垂直統合)、幅広い製品ラインアップ、顧客志向という4つの主な特徴を備えています。これらの強みを最大限に活用できるパワーテクノロジーとアナログテクノロジーソリューションに注力することで、お客様に高い付加価値を提供し、社会課題の解決に貢献します。
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