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SemiQ GSXD080A008S1-D3

DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :GSXD080A008S1-D3
Fabricante :SemiQ
Dasenic Número de pieza :GSXD080A008S1-D3-DS
Referencia de cliente :
Descripción : DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
65+$ 48.0751$ 3124.88
En stock: 1454
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 48.0751
Total :$ 48.08
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Pago :
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GSXD080A008S1-D3 información

  • SemiQ GSXD080A008S1-D3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Arrays
  • Estado del producto:Active
  • Tipo de montaje:Chassis Mount
  • Paquete / Caja:SOT-227-4, miniBLOC
  • Paquete de dispositivo del proveedor:SOT-227
  • Velocidad:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Tipo de diodo:Schottky
  • Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:840 mV @ 80 A
  • Corriente - Fuga inversa @ Vr:1 mA @ 80 V
  • Configuración de diodos:2 Independent
  • Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):80 V
  • Corriente rectificada promedio ( Io) (por diodo):80A
  • Tiempo de recuperación inversa (trr):-
  • Temperatura de funcionamiento - Unión:-40°C ~ 150°C
  • Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
  • Estado de ALCANCE:REACH is not affected
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
GSXD080A008S1-D3 fornecido por SemiQ
SemiQ Inc. es un desarrollador y fabricante con sede en EE. UU. de dispositivos y materiales semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC), incluidos: diodos MPS de potencia de SiC, módulos de SiC, MOSFET de potencia de SiC, módulos personalizados de SiC, matriz desnuda de SiC, obleas Epi de tipo N personalizadas de SiC, etc. SemiQ es una empresa privada y parcialmente propiedad de los empleados. SemiQ (anteriormente conocida como Global Power Technologies Group) comenzó a desarrollar tecnologías de carburo de silicio en 2012 en su sede en el sur de California, donde también cultiva Epi y diseña dispositivos. Recientemente, SemiQ lanzó sus diodos Schottky de SiC Gen 3 (tipo Schottky PiN fusionado) que incluyeron mejoras en la corriente de sobretensión, la resistencia a la humedad y la robustez y resistencia generales. Los productos SemiQ se utilizan en sistemas de carga de vehículos eléctricos, calentamiento por inducción, fuentes de alimentación, generación de energía a partir de pilas de combustible e inversores solares en todo el mundo. Además, SemiQ ofrece conocimientos sobre aplicaciones de conversión de energía y tiene una amplia experiencia en el diseño de inversores de 3,3 kW, 6,6 kW y superiores. Las instalaciones de fabricación e ingeniería de SemiQ se encuentran en Lake Forest, California. La empresa cuenta con una cadena de suministro de SiC totalmente redundante.
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