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STMicroelectronics STS8DN3LLH5
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
N.º de pieza del fabricante :STS8DN3LLH5
Fabricante :STMicroelectronics
Dasenic Número de pieza :STS8DN3LLH5-DS
Ficha de datos :
STS8DN3LLH5 Ficha de datos
STS8DN3LLH5 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.3645 | $ 3.65 |
| 2500+ | $ 0.2025 | $ 506.25 |
| 5000+ | $ 0.2025 | $ 1012.5 |
| 7500+ | $ 0.1980 | $ 1485 |
| 10000+ | $ 0.1980 | $ 1980 |
En stock: 16808
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 0.3645
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STS8DN3LLH5 información
STMicroelectronics STS8DN3LLH5 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- パワー - 最大:2.7W
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):30V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:10A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:19mOhm @ 5A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:5.4nC @ 4.5V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:724pF @ 25V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
STS8DN3LLH5 fornecido por STMicroelectronics
1987年に設立されたSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM）は、日常生活の中心となる電子機器を動かすインテリジェントでエネルギー効率に優れた製品とソリューションを提供する世界的半導体リーダーです。STは、マイクロコントローラ、デジタルおよびアナログ集積回路、電源管理デバイス、MEMSセンサ、イメージングおよびオーディオソリューション、ワイヤレス接続ソリューションなど、幅広い半導体製品とソリューションの大手サプライヤーです。当社の技術は、よりスマートなモビリティ、より効率的な電力およびエネルギー管理、モノのインターネットおよび5G技術の広範な展開を可能にします。当社は、10万社のお客様と数千社のパートナーと協力して、お客様の課題と機会、そしてより持続可能な世界をサポートするニーズに対応する製品、ソリューション、エコシステムを設計および構築しています。STは、スイスのジュネーブに本社を置き、35か国以上で事業を展開する多国籍企業です。
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