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Texas Instruments UCC5390SCDR
DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :UCC5390SCDR
Fabricante :Texas Instruments
Dasenic Número de pieza :UCC5390SCDR-DS
Ficha de datos :
UCC5390SCDR Ficha de datos
UCC5390SCDR Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DGTL ISO 3KV 1CH GATE DRVR 8SOIC
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 2.6280 | $ 2.63 |
| 10+ | $ 1.7100 | $ 17.1 |
| 100+ | $ 1.5120 | $ 151.2 |
| 250+ | $ 1.4130 | $ 353.25 |
| 500+ | $ 1.3590 | $ 679.5 |
En stock: 28987
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 2.628
Total :$ 2.63
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UCC5390SCDR información
Texas Instruments UCC5390SCDR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Isolators/Isolator Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- テクノロジー:Capacitive Coupling
- 承認機関:CQC, CSA, UR, VDE
- チャンネル数:1
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電流 - 出力高、低:10A, 10A
- 電圧 - 絶縁:3000Vrms
- 電流 - ピーク出力:-
- 上昇/下降時間（標準）:10ns, 10ns
- コモンモード過渡耐性（最小）:100kV/µs
- 伝播遅延 tp L H / tp H L (最大):65ns, 65ns
- パルス幅歪み（最大）:20ns
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (標準):-
- 電流 - D C順方向（ If）（最大）:-
- 電圧 - 出力供給:13.2V ~ 33V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:2 (1 Year,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
UCC5390SCDR fornecido por Texas Instruments
1930 年に設立された Texas Instruments (Nasdaq: TXN) は、アナログおよび組み込み処理チップの設計、製造、テスト、販売を行う世界的な半導体企業です。TI の製品は、低消費電力、低コストのデバイスから高性能の専用ソリューションまで多岐にわたります。マイクロコントローラ、アナログ/デジタル コンバータ (ADC)、デジタル/アナログ コンバータ (DAC)、オペアンプ、電源管理 IC など、約 80,000 種類の製品を取り揃え、産業、自動車、パーソナル エレクトロニクス、通信機器、エンタープライズ システムなどの市場に進出する 100,000 社以上のお客様が、電力を効率的に管理し、データを正確に感知して送信し、設計の中核となる制御や処理を提供するのを支援しています。TI は、世界各地に所有され、地域的に多様な社内製造業務を長年にわたって展開しており、世界中に 15 の製造拠点、12 のウェーハ工場、7 つの組み立ておよびテスト工場、複数のバンプおよびプローブ施設を有しています。
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