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Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE(TE85L,F)
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
N.º de pieza del fabricante :HN4B01JE(TE85L,F)
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :HN4B01JE(TE85L,F)-DS
Ficha de datos :
HN4B01JE(TE85L,F) Ficha de datos
HN4B01JE(TE85L,F) Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.2430 | $ 0.24 |
| 10+ | $ 0.1557 | $ 1.56 |
| 100+ | $ 0.0711 | $ 7.11 |
| 1000+ | $ 0.0576 | $ 57.6 |
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MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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HN4B01JE(TE85L,F) información
Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE(TE85L,F) especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-553
- パワー - 最大:100mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:ESV
- トランジスタタイプ:NPN, PNP (Emitter Coupled)
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):150mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):50V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:250mV @ 10mA, 100mA
- 電流 - コレクターカットオフ（最大）:100nA (ICBO)
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:120 @ 10MA, 100MA
- 周波数 - 遷移:80MHz
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HN4B01JE(TE85L,F) fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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