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Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60W,S1VE(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
N.º de pieza del fabricante :TK12J60W,S1VE(S
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :TK12J60W,S1VE(S-DS
Ficha de datos :
TK12J60W,S1VE(S Ficha de datos
TK12J60W,S1VE(S Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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TK12J60W,S1VE(S información
Toshiba Semiconductor and Storage TK12J60W,S1VE(S especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-3P(N)
- 消費電力（最大）:110W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:11.5A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:300mOhm @ 5.8A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.7V @ 600µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:25 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:890 pF @ 300 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK12J60W,S1VE(S fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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