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Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
N.º de pieza del fabricante :TK3A60DA(Q,M)
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :TK3A60DA(Q,M)-DS
Ficha de datos :
TK3A60DA(Q,M) Ficha de datos
TK3A60DA(Q,M) Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 3.3800 | $ 3.38 |
| 50+ | $ 1.6108 | $ 80.54 |
| 100+ | $ 3.3800 | $ 338 |
| 500+ | $ 1.1353 | $ 567.65 |
| 1000+ | $ 1.0378 | $ 1037.8 |
En stock: 1501
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 3.38
Total :$ 3.38
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TK3A60DA(Q,M) información
Toshiba Semiconductor and Storage TK3A60DA(Q,M) especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220SIS
- 消費電力（最大）:30W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:2.5A (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:2.8Ohm @ 1.3A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.4V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:9 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:380 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK3A60DA(Q,M) fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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