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Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
N.º de pieza del fabricante :TK4R4P06PL,RQ
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :TK4R4P06PL,RQ-DS
Ficha de datos :
TK4R4P06PL,RQ Ficha de datos
TK4R4P06PL,RQ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 10+ | $ 0.7094 | $ 7.09 |
| 2500+ | $ 0.3941 | $ 985.25 |
| 5000+ | $ 0.3919 | $ 1959.5 |
En stock: 14792
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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TK4R4P06PL,RQ información
Toshiba Semiconductor and Storage TK4R4P06PL,RQ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:175°C
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:DPAK
- 消費電力（最大）:87W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:58A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:4.4mOhm @ 29A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.5V @ 500µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:48.2 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:3280 pF @ 30 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TK4R4P06PL,RQ fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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