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Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH,LQ
MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
N.º de pieza del fabricante :TPN30008NH,LQ
Fabricante :Toshiba Semiconductor and Storage
Dasenic Número de pieza :TPN30008NH,LQ-DS
Ficha de datos :
TPN30008NH,LQ Ficha de datos
TPN30008NH,LQ Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.7560 | $ 0.76 |
| 10+ | $ 0.6165 | $ 6.17 |
| 100+ | $ 0.4536 | $ 45.36 |
| 250+ | $ 0.4527 | $ 113.18 |
| 500+ | $ 0.3636 | $ 181.8 |
En stock: 17593
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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TPN30008NH,LQ información
Toshiba Semiconductor and Storage TPN30008NH,LQ especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
- 消費電力（最大）:700mW (Ta), 27W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):80 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9.6A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:30mOhm @ 4.8A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 100µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:11 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:920 pF @ 40 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
TPN30008NH,LQ fornecido por Toshiba Semiconductor and Storage
東芝アメリカ電子部品株式会社 (TAEC) は、東芝の北米電子部品事業部です。TAEC は、自動車、マルチメディア、産業、通信、ネットワーク アプリケーション向けの高性能マイクロコントローラ、ASIC、ASSP など、幅広い IC およびディスクリート製品ラインを提供しています。また、同社は、エンタープライズおよびコンシューマ HDD などのストレージ製品に加え、幅広いパワー半導体ソリューションも提供しています。TAEC は 1989 年に設立され、米国およびラテン アメリカにオフィスを構え、設計、製造、マーケティング、販売を行っています。
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