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Vishay SI7980DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
- N.º de pieza del fabricante :SI7980DP-T1-GE3
- Fabricante :Vishay
- Dasenic Número de pieza :SI7980DP-T1-GE3-DS
- Ficha de datos :
SI7980DP-T1-GE3 Ficha de datos - Descripción : MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
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Vishay SI7980DP-T1-GE3 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Estado del producto:Obsolete
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Paquete / Caja:PowerPAK® SO-8 Dual
Potencia - Máxima:19.8W, 21.9W
Paquete de dispositivo del proveedor:PowerPAK® SO-8 Dual
Tipo F E T:2 N-Channel (Half Bridge)
Función F E T:Standard
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):20V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:8A
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:22mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:2.5V @ 250µA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:27nC @ 10V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1010pF @ 10V
Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
Vishay SI7980DP-T1-GE3
Vishay Intertechnology, Inc., una empresa de la lista Fortune 1000 que cotiza en la Bolsa de Nueva York (VSH), es uno de los mayores fabricantes del mundo de semiconductores discretos (diodos, rectificadores, MOSFET, optoelectrónica y circuitos integrados seleccionados) y componentes electrónicos pasivos (resistencias, inductores y condensadores). Estos componentes se utilizan en prácticamente todo tipo de dispositivos y equipos electrónicos, en los mercados industrial, informático, automotriz, de consumo, de telecomunicaciones, militar, aeroespacial, de suministro de energía y médico. Las innovaciones de productos de Vishay, su exitosa estrategia de adquisiciones y su servicio de "ventanilla única" la han convertido en un líder mundial de la industria.
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