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WeEn Semiconductors WNSC6D04650Q
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I
N.º de pieza del fabricante :WNSC6D04650Q
Fabricante :WeEn Semiconductors
Dasenic Número de pieza :WNSC6D04650Q-DS
Ficha de datos :
WNSC6D04650Q Ficha de datos
WNSC6D04650Q Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 1.3230 | $ 1.32 |
| 10+ | $ 1.0890 | $ 10.89 |
| 100+ | $ 0.8712 | $ 87.12 |
| 1000+ | $ 0.7398 | $ 739.8 |
| 5000+ | $ 0.6543 | $ 3271.5 |
En stock: 8751
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 1.323
Total :$ 1.32
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WNSC6D04650Q información
WeEn Semiconductors WNSC6D04650Q especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AC
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):4A
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.4 V @ 4 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:30 µA @ 650 V
- 静電容量 @ Vr、 F:233pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):650 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:175°C
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
WNSC6D04650Q fornecido por WeEn Semiconductors
2015年に会社として登録され、半導体の開発と製造で50年以上の実績を持つWeEn Semiconductors Co., Ltdは、シリコンカーバイドパワーデバイス、シリコン制御整流器とトライアック、標準および高速回復パワーダイオード、TVSおよびESD保護デバイス、IGBTとモジュールなど、業界をリードする幅広く充実したパワー製品のポートフォリオの開発に注力してきました。これらの製品はすべて、通信、コンピューター、消費者向け電子機器、インテリジェント家電、照明、自動車、電源管理アプリケーションの市場で広く使用されています。WeEnは、中国、ヨーロッパ、アジア太平洋、南北アメリカにグローバルな営業所を持ち、それぞれの業界セグメントでお客様に信頼性の高い専門的な技術サポートを提供しています。
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