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Wolfspeed C2M0045170P

En stock: 1837
MOQ: 1
2 Niveles de precios
  • N.º de pieza del fabricante :C2M0045170P
  • Fabricante :Wolfspeed
  • Dasenic # :C2M0045170P-DS
  • Ficha de datos : C2M0045170P Ficha de datos PDF
  • Descripción : SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
  • Paquete :-
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Wolfspeed C2M0045170P especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Not For New Designs
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:TO-247-4
Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247-4L
Disipación de potencia (máxima):520W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1700 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:72A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:59mOhm @ 50A, 20V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4V @ 18mA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:188 nC @ 20 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:3672 pF @ 1000 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):20V
Vgs (máximo):+25V, -10V
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
ECCN de EE. UU.:Provided as per user requirements
Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C2M0045170P proporcionado por Wolfspeed
Wolfspeed es una empresa de semiconductores líder centrada en las tecnologías de carburo de silicio y GaN. Lideramos la transformación del silicio al carburo de silicio (SiC) y GaN a medida que damos forma al futuro de los mercados de semiconductores: la transición a vehículos eléctricos, el paso a redes 5G más rápidas, la evolución de la energía renovable y el almacenamiento de energía, y el avance de las aplicaciones industriales. Después de más de 35 años de forjar la adopción y transformación de nuevas tecnologías, nuestros semiconductores de potencia y radiofrecuencia (RF) Wolfspeed® lideran la industria gracias a una experiencia y una capacidad inigualables.

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Calificaciones y reseñas
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John D.

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Sarah M.

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