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1 : $4.1400

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Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
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Wolfspeed C3M0120065D

650V 120M SIC MOSFET
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :C3M0120065D
Fabricante :Wolfspeed
Dasenic Número de pieza :C3M0120065D-DS
Referencia de cliente :
Descripción : 650V 120M SIC MOSFET
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 4.1400$ 4.14
10+$ 3.8610$ 38.61
50+$ 3.5640$ 178.2
100+$ 3.1140$ 311.4
200+$ 2.9790$ 595.8
En stock: 3924
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 4.14
Total :$ 4.14
Entrega :
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Pago :
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C3M0120065D información

  • Wolfspeed C3M0120065D especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-247-3
  • テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
  • 消費電力(最大):98W (Tc)
  • F E Tタイプ:N-Channel
  • F E T機能:-
  • ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
  • 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:22A (Tc)
  • Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:157mOhm @ 6.76A, 15V
  • Vgs(th) (最大) @ Id:3.6V @ 1.86mA
  • ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:28 nC @ 15 V
  • 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:640 pF @ 400 V
  • 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):15V
  • Vgs (最大):+19V, -8V
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • モイスチャーレベル:Vendor omitted MSL Rating information
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.29.0095
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
C3M0120065D fornecido por Wolfspeed
Wolfspeed は、シリコンカーバイドと GaN 技術に重点を置く半導体大手企業です。当社は、電気自動車への移行、より高速な 5G ネットワークへの移行、再生可能エネルギーとエネルギー貯蔵の進化、産業用アプリケーションの進歩など、半導体市場の未来を形作る中で、シリコンからシリコンカーバイド (SiC) と GaN への変革をリードしています。35 年以上にわたり新技術の採用と変革を推進してきた当社の Wolfspeed® パワーおよび無線周波数 (RF) 半導体は、比類のない専門知識と能力によって業界をリードしています。
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