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Wolfspeed CMF20120D

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MOQ: 1
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  • N.º de pieza del fabricante :CMF20120D
  • Fabricante :Wolfspeed
  • Dasenic # :CMF20120D-DS
  • Ficha de datos : CMF20120D Ficha de datos PDF
  • Descripción : SICFET N-CH 1200V 42A TO247-3
  • Paquete :-
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Wolfspeed CMF20120D especificaciones técnicas, atributos, parámetros.

Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Estado del producto:Obsolete
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 135°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Paquete / Caja:TO-247-3
Tecnología:SiCFET (Silicon Carbide)
Paquete de dispositivo del proveedor:TO-247-3
Disipación de potencia (máxima):215W (Tc)
Tipo F E T:N-Channel
Función F E T:-
Voltaje de drenaje a fuente ( Vdss):1200 V
Corriente - Drenaje continuo ( Id) a 25 ° C:42A (Tc)
Rds activado (máximo) @ Id, Vgs:110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) ( Máx.) @ Id:4V @ 1mA
Carga de puerta ( Qg) ( Máx.) a Vgs:90.8 nC @ 20 V
Capacitancia de entrada ( Ciss) ( Máx.) a Vds:1915 pF @ 800 V
Voltaje de la unidad ( Rds máx. activado, Rds mín. activado):20V
Vgs (máximo):+25V, -5V
Clasificación MSL:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
ECCN de EE. UU.:EAR99
HTS EE. UU.:8541.29.0095
Estado RoHS de la UE:RoHS Compliant
Estado de ALCANCE:Vendor is not defined
Estado RoHS de China:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
CMF20120D proporcionado por Wolfspeed
Wolfspeed es una empresa de semiconductores líder centrada en las tecnologías de carburo de silicio y GaN. Lideramos la transformación del silicio al carburo de silicio (SiC) y GaN a medida que damos forma al futuro de los mercados de semiconductores: la transición a vehículos eléctricos, el paso a redes 5G más rápidas, la evolución de la energía renovable y el almacenamiento de energía, y el avance de las aplicaciones industriales. Después de más de 35 años de forjar la adopción y transformación de nuevas tecnologías, nuestros semiconductores de potencia y radiofrecuencia (RF) Wolfspeed® lideran la industria gracias a una experiencia y una capacidad inigualables.

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Calificaciones y reseñas
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John D.

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Sarah M.

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