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Yangzhou Yangjie Electronic Technology YJD80G06A-F1-0000
N.º de pieza del fabricante :YJD80G06A-F1-0000
Fabricante :Yangzhou Yangjie Electronic Technology
Dasenic Número de pieza :YJD80G06A-F1-0000-DS
Ficha de datos : YJD80G06A-F1-0000 Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : N-CH MOSFET 60V 80A TO-252
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En stock: 2922
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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YJD80G06A-F1-0000 información
Yangzhou Yangjie Electronic Technology YJD80G06A-F1-0000 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-252
- 消費電力(最大):85W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):60 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:80A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:8mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:2.2V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:31 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:1990 pF @ 30 V
- 駆動電圧(最大 Rds オン、最小 Rds オン):4.5V, 10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
YJD80G06A-F1-0000 fornecido por Yangzhou Yangjie Electronic Technology
揚州楊傑電子科技有限公司は、個別半導体チップの設計と製造、半導体部品の組み立てとテスト、市場販売とサービスを統合した、中国でも数少ない優れたIDMメーカーの1つです。個別半導体チップ、MOSFET、IGBTとパワーモジュール、SiC、整流器、保護デバイス、小信号など、幅広い製品ラインを揃えています。これにより、お客様にトータルな製品ソリューションを提供することができます。当社の製品は、自動車用電子機器、グリーンエネルギー、産業、電源、家電、LED照明、セキュリティ、通信、消費者向け電子機器などの分野で広く使用されています。当社は、2014年1月23日に深セン証券取引所に上場し、株式コードは300373です。お客様のサポートがあれば、「中国のパワー半導体を世界に信頼してもらう」というビジョンを実現できると信じています。
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