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Diodes Incorporated AS358MTR-G1
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
N.º de pieza del fabricante :AS358MTR-G1
Fabricante :Diodes Incorporated
Dasenic Número de pieza :AS358MTR-G1-DS
Ficha de datos :
AS358MTR-G1 Ficha de datos
AS358MTR-G1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
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| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 0.0315 | $ 0.03 |
| 10+ | $ 0.0315 | $ 0.32 |
| 25+ | $ 0.0315 | $ 0.79 |
| 50+ | $ 0.0315 | $ 1.58 |
| 100+ | $ 0.0315 | $ 3.15 |
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AS358MTR-G1 información
Diodes Incorporated AS358MTR-G1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 85°C (TA)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Corriente - Suministro:700µA (x2 Channels)
- Tipo de salida:-
- Paquete de dispositivo del proveedor:8-SOIC
- Número de circuitos:2
- Tipo de amplificador:General Purpose
- -3db de ancho de banda:-
- Corriente - Salida / Canal:40 mA
- Velocidad de giro:-
- Producto de ganancia de ancho de banda:-
- Corriente - Polarización de entrada:20 nA
- Voltaje - Desplazamiento de entrada:2 mV
- Voltaje - Alcance de suministro ( Mín.):3 V
- Voltaje - Alcance de suministro (máximo):36 V
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8542.33.0001
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
AS358MTR-G1 fornecido por Diodes Incorporated
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) es un fabricante y proveedor líder mundial de productos estándar específicos para aplicaciones de alta calidad dentro de los amplios mercados de semiconductores discretos, lógicos, analógicos y de señal mixta. Diodes atiende a los mercados automotriz, industrial, informático, de electrónica de consumo y de comunicaciones. Nuestra cartera de productos incluye diodos, transistores, MOSFET, dispositivos de protección, lógica, reguladores de voltaje, amplificadores, sensores y dispositivos de administración de energía como convertidores y controladores de LED. También ofrecemos soluciones de sincronización y conectividad. Las instalaciones de fabricación de Diodes cuentan con certificaciones reconocidas internacionalmente en ISO 9001:2015, ISO 14001:2015, IATF 16949:2016 (para productos automotrices) y C-TPAT, lo que subraya nuestro compromiso con el control de calidad superior y mejora nuestra credibilidad como proveedor preferido para los OEM que priorizan la calidad y la consistencia. Con sede en Texas, EE. UU., tenemos centros de diseño, marketing e ingeniería, así como instalaciones en todo el mundo, con oficinas de soporte en todo el mundo.
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