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Infineon Technologies 2EDS8165HXUMA1
IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO16-30
N.º de pieza del fabricante :2EDS8165HXUMA1
Fabricante :Infineon Technologies
Dasenic Número de pieza :2EDS8165HXUMA1-DS
Ficha de datos :
2EDS8165HXUMA1 Ficha de datos
2EDS8165HXUMA1 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO16-30
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 7.8200 | $ 7.82 |
| 5+ | $ 7.0200 | $ 35.1 |
| 25+ | $ 6.2000 | $ 155 |
| 100+ | $ 5.5800 | $ 558 |
En stock: 1689
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 7.82
Total :$ 7.82
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2EDS8165HXUMA1 información
Infineon Technologies 2EDS8165HXUMA1 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Discontinued at Digi-Key
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-DSO-16-30
- 電圧 - 供給:20V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel, P-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:-, 1.65V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:1A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:6.5ns, 4.5ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
2EDS8165HXUMA1 fornecido por Infineon Technologies
Infineon Technologies AG (OTCMKTS: IFNNY) は、電力システムと IoT における世界的な半導体リーダーです。Infineon は、自社の製品とソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進しています。同社の半導体製品には、ASIC、バッテリー管理 IC、クロックとタイミング ソリューション、ESD とサージ保護、メモリ マイクロコントローラ、RF、セキュリティとスマート カード ソリューション、センサー、小信号トランジスタとダイオード、トランシーバー、ワイヤレス接続、ソフトウェアなどが含まれます。これらの製品は、自動車、グリーン産業用電力、電力管理、センシング ソリューション、IoT アプリケーションのセキュリティに使用されています。Infineon Technologies は、1999 年に Siemens AG からのスピンオフとして設立されました。ドイツのミュンヘン近郊のノイビーベルクに本社を置き、世界中に約 56,200 人の従業員と 155 の拠点を擁しています。
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