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International Rectifier(IR) IRS26310DJTRPBF
Half Bridge 200mA 12V~20V 350mA - Gate Drive ICs
N.º de pieza del fabricante :IRS26310DJTRPBF
Fabricante :International Rectifier(IR)
Dasenic Número de pieza :IRS26310DJTRPBF-DS
Ficha de datos :
IRS26310DJTRPBF Ficha de datos
IRS26310DJTRPBF Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : Half Bridge 200mA 12V~20V 350mA - Gate Drive ICs
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 3.3660 | $ 3.37 |
| 25+ | $ 3.3030 | $ 82.58 |
| 100+ | $ 3.1680 | $ 316.8 |
| 500+ | $ 3.0330 | $ 1516.5 |
| 1000+ | $ 2.8620 | $ 2862 |
En stock: 1929
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 3.366
Total :$ 3.37
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IRS26310DJTRPBF información
International Rectifier(IR) IRS26310DJTRPBF especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- Estado del producto:Active
- Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montaje:Surface Mount
- Paquete / Caja:44-LCC (J-Lead), 32 Leads
- Tipo de entrada:Non-Inverting
- Paquete de dispositivo del proveedor:44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
- Voltaje - Suministro:12V ~ 20V
- Tipo de canal:3-Phase
- Configuración impulsada:Half-Bridge
- Número de conductores:6
- Tipo de puerta:IGBT, N-Channel MOSFET
- Voltaje lógico - V I L, V I H:0.8V, 2.5V
- Corriente - Salida máxima (fuente, sumidero):200mA, 350mA
- Voltaje del lado alto - Máx. ( Bootstrap):600 V
- Tiempo de subida/bajada (típico):125ns, 50ns
- Número de producto base:IRS26310
- Embalaje:Bulk
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- HTS EE. UU.:8542.39.0001
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IRS26310DJTRPBF fornecido por International Rectifier(IR)
International Rectifier (IR) era un fabricante de semiconductores especializado en tecnología de gestión de la energía. La empresa se fundó en 1947 y tenía su sede en El Segundo, California. IR diseñó, fabricó y comercializó una amplia gama de productos semiconductores de potencia, incluidos MOSFET, IGBT, diodos, tiristores y circuitos integrados. Estos productos se utilizaron en diversas aplicaciones, como la automoción, la industria, la informática y la electrónica de consumo. En 2015, IR fue adquirida por Infineon Technologies, una empresa alemana de semiconductores, y sus productos y tecnologías se integraron en la cartera de Infineon.
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