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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBLI
N.º de pieza del fabricante :IS43DR16640B-3DBLI
Fabricante :ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Dasenic Número de pieza :IS43DR16640B-3DBLI-DS
Ficha de datos : IS43DR16640B-3DBLI Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
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MOQ :1 PCS
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IS43DR16640B-3DBLI información
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBLI especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Not For New Designs
- 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:84-TFBGA
- テクノロジー:SDRAM - DDR2
- サプライヤーデバイスパッケージ:84-TWBGA (8x12.5)
- メモリサイズ:1Gb (64M x 16)
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:1.7V ~ 1.9V
- クロック周波数:333 MHz
- アクセス時間:450 ps
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.32.0032
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43DR16640B-3DBLI fornecido por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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