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ISSI® IS43R86400E-6TL-TR

512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IS43R86400E-6TL-TR
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS43R86400E-6TL-TR-DS
Referencia de cliente :
Descripción : 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
En stock: 10
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 0
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IS43R86400E-6TL-TR información

  • ISSI® IS43R86400E-6TL-TR especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • テクノロジー:DRAM
  • シリーズ:Tape & Reel (TR)
  • 取り付けタイプ:0°C ~ 70°C (TA)
  • 動作温度:2.3V ~ 2.7V
  • 電圧供給:700 ps
  • メモリサイズ:SDRAM - DDR
  • クロック周波数:SSTL_2
  • アクセス時間:15ns
  • メモリフォーマット:Volatile
  • メモリインターフェース:64M x 8
  • 記憶の整理:512Mbit
  • 書き込みサイクル時間-ワードページ:166 MHz
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43R86400E-6TL-TR fornecido por ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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