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ISSI® IS43R86400F-6TL
N.º de pieza del fabricante :IS43R86400F-6TL
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS43R86400F-6TL-DS
Ficha de datos : IS43R86400F-6TL Ficha de datos
Referencia de cliente :
Descripción : 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz,
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En stock: 872
MOQ :1 PCS
Paquete :-
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Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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IS43R86400F-6TL información
ISSI® IS43R86400F-6TL especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:0°C ~ 70°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
- テクノロジー:SDRAM - DDR
- サプライヤーデバイスパッケージ:66-TSOP II
- メモリサイズ:512Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:2.3V ~ 2.7V
- クロック周波数:167 MHz
- アクセス時間:700 ps
- メモリフォーマット:DRAM
- メモリインターフェース:SSTL_2
- 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
- 記憶の組織化:64M x 8
- パッケージ:Bulk
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43R86400F-6TL fornecido por ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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