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ISSI® IS46LD32640C-18BLA2

IC DRAM
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :IS46LD32640C-18BLA2
Fabricante :ISSI®
Dasenic Número de pieza :IS46LD32640C-18BLA2-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IC DRAM
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 89.9910$ 89.99
En stock: 4050
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 89.991
Total :$ 89.99
Entrega :
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Pago :
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IS46LD32640C-18BLA2 información

  • ISSI® IS46LD32640C-18BLA2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • Estado del producto:Active
  • Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 105°C (TC)
  • Tipo de montaje:Surface Mount
  • Paquete / Caja:134-TFBGA
  • Tecnología:SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
  • Paquete de dispositivo del proveedor:134-TFBGA (10x11.5)
  • Tamaño de la memoria:2Gbit
  • Tipo de memoria:Volatile
  • Voltaje - Suministro:1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
  • Frecuencia de reloj:533 MHz
  • Tiempo de acceso:5.5 ns
  • Formato de memoria:DRAM
  • Interfaz de memoria:HSUL_12
  • Tiempo de ciclo de escritura - Word, Page:15ns
  • Organización de la memoria:64M x 32
  • Embalaje:Tray
  • Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
  • Clasificación MSL:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • Estado de ALCANCE:REACH Unaffected
  • ECCN de EE. UU.:EAR99
  • Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS46LD32640C-18BLA2 fornecido por ISSI®
Fundada en 1988, Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) es una empresa de semiconductores que se especializa en el diseño, desarrollo y fabricación de una amplia gama de circuitos integrados (CI) y productos de memoria. Diseñamos, desarrollamos y comercializamos circuitos integrados de alto rendimiento para los siguientes mercados clave: automoción, industria y medicina, comunicaciones/empresas y consumo digital. Nuestros productos principales son SRAM de alta velocidad y bajo consumo y DRAM de baja y media densidad, NOR/NAND Flash y productos eMMC. ISSI también ofrece soluciones personalizadas y específicas para cada aplicación para satisfacer los requisitos exclusivos de nuestros clientes. La sede regional de ISSI se encuentra en California, con oficinas en todo el mundo en China continental, Europa, Hong Kong, India, Israel, Japón, Corea, Singapur, Taiwán y los EE. UU.
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