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IXYS IXDN502SIA

Name: IXDN502SIA
Brand: IXYS
SKU: DS-6136758
Price: 22.5 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

N.º de pieza del fabricante :IXDN502SIA

Fabricante :IXYS

Dasenic Número de pieza :IXDN502SIA-DS

Ficha de datos :

IXDN502SIA Ficha de datos

Referencia de cliente :

Referencia de cliente

Descripción : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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Cantidad	Precio unitario	Total
1+	$ 22.5000	$ 22.5
10+	$ 21.3750	$ 213.75
100+	$ 20.2500	$ 2025
1000+	$ 19.1250	$ 19125
10000+	$ 18.0000	$ 180000

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IXDN502SIA información

IXYS IXDN502SIA especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
入力タイプ:Non-Inverting
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
電圧 - 供給:4.5V ~ 30V
チャンネルタイプ:Independent
駆動構成:Low-Side
ドライバー数:2
ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3V
電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:2A, 2A
ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
上昇/下降時間（標準）:7.5ns, 6.5ns
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
IXDN502SIA,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

IXDN502SIA fornecido por IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。