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PN Junction Semiconductor P6D12002E2
DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO252-2
N.º de pieza del fabricante :P6D12002E2
Fabricante :PN Junction Semiconductor
Dasenic Número de pieza :P6D12002E2-DS
Ficha de datos :
P6D12002E2 Ficha de datos
P6D12002E2 Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO252-2
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 5.3800 | $ 5.38 |
| 11+ | $ 4.8600 | $ 53.46 |
| 101+ | $ 5.3800 | $ 543.38 |
| 501+ | $ 3.5000 | $ 1753.5 |
| 1001+ | $ 3.0660 | $ 3069.07 |
En stock: 2410
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
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Precio unitario :$ 5.38
Total :$ 5.38
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P6D12002E2 información
PN Junction Semiconductor P6D12002E2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- Estado del producto:Active
- Tipo de montaje:-
- Paquete / Caja:TO-252-2
- Paquete de dispositivo del proveedor:TO-252-2
- Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
- Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
- Corriente - Promedio Rectificado ( Io):8A (DC)
- Voltaje - Directo ( Vf) ( Máx.) @ Si:-
- Corriente - Fuga inversa @ Vr:50 µA @ 650 V
- Capacitancia @ Vr, F:-
- Voltaje - C C inversa ( Vr) ( Máx.):1200 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr):0 ns
- Temperatura de funcionamiento - Unión:-55°C ~ 175°C (TJ)
- Estado RoHS de la UE:ROHS3 Compliant
- Estado de ALCANCE:REACH Affected
- ECCN de EE. UU.:EAR99
- Estado RoHS de China:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
P6D12002E2 fornecido por PN Junction Semiconductor
PN Junction Semiconductor se estableció en septiembre de 2018 como una marca líder en dispositivos semiconductores de potencia de tercera generación en China. Los principales productos de la empresa son los MOSFET de carburo de silicio de grado automotriz, los SBD de carburo de silicio y los dispositivos de potencia de nitruro de galio. La empresa tiene el catálogo más completo de dispositivos de potencia de carburo de silicio en China, con MOSFET y SBD de carburo de silicio que cubren varios niveles de voltaje y capacidades de transporte de corriente, todos los cuales han pasado las pruebas y la certificación AEC-Q101, y pueden cumplir con varios escenarios de aplicación de los clientes. El Dr. Huang Xing, fundador de PN Junction Semiconductor, ha estado profundamente involucrado en el diseño y desarrollo de dispositivos de potencia de carburo de silicio y nitruro de galio desde 2009, y ha estudiado con el profesor B. Jayant Baliga, el inventor de IGBT, y el profesor Alex Huang, el inventor del tiristor. Actualmente, PN Junction Semiconductor ha lanzado más de 100 modelos diferentes de diodos de carburo de silicio, MOSFET de carburo de silicio, módulos de potencia de carburo de silicio y productos HEMT de GaN en las plataformas de voltaje de 650 V, 1200 V y 1700 V. Los productos producidos en masa se han utilizado ampliamente en vehículos eléctricos, fuentes de alimentación de equipos de TI, inversores fotovoltaicos, sistemas de almacenamiento de energía, aplicaciones industriales y otros campos, proporcionando un suministro continuo y estable a los fabricantes de primer nivel.
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