PN Junction Semiconductor

PN Junction Semiconductor se estableció en septiembre de 2018 como una marca líder en dispositivos semiconductores de potencia de tercera generación en China. Los principales productos de la empresa son los MOSFET de carburo de silicio de grado automotriz, los SBD de carburo de silicio y los dispositivos de potencia de nitruro de galio. La empresa tiene el catálogo más completo de dispositivos de potencia de carburo de silicio en China, con MOSFET y SBD de carburo de silicio que cubren varios niveles de voltaje y capacidades de transporte de corriente, todos los cuales han pasado las pruebas y la certificación AEC-Q101, y pueden cumplir con varios escenarios de aplicación de los clientes. El Dr. Huang Xing, fundador de PN Junction Semiconductor, ha estado profundamente involucrado en el diseño y desarrollo de dispositivos de potencia de carburo de silicio y nitruro de galio desde 2009, y ha estudiado con el profesor B. Jayant Baliga, el inventor de IGBT, y el profesor Alex Huang, el inventor del tiristor. Actualmente, PN Junction Semiconductor ha lanzado más de 100 modelos diferentes de diodos de carburo de silicio, MOSFET de carburo de silicio, módulos de potencia de carburo de silicio y productos HEMT de GaN en las plataformas de voltaje de 650 V, 1200 V y 1700 V. Los productos producidos en masa se han utilizado ampliamente en vehículos eléctricos, fuentes de alimentación de equipos de TI, inversores fotovoltaicos, sistemas de almacenamiento de energía, aplicaciones industriales y otros campos, proporcionando un suministro continuo y estable a los fabricantes de primer nivel.