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Power Integrations 1SP0335V2M1-MBN750H65E2

IGBT GATE DRIVER P/P 1CH SCALE-2
part number has RoHS
N.º de pieza del fabricante :1SP0335V2M1-MBN750H65E2
Fabricante :Power Integrations
Dasenic Número de pieza :1SP0335V2M1-MBN750H65E2-DS
Referencia de cliente :
Descripción : IGBT GATE DRIVER P/P 1CH SCALE-2
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
CantidadPrecio unitarioTotal
1+$ 262.1800$ 262.18
En stock: 1504
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 262.18
Total :$ 262.18
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1SP0335V2M1-MBN750H65E2 información

  • Power Integrations 1SP0335V2M1-MBN750H65E2 especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
  • Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C
  • 取り付けタイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Module
  • 入力タイプ:-
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Module
  • 電圧 - 供給:23.5V ~ 26.5V
  • チャンネルタイプ:Single
  • 駆動構成:High-Side or Low-Side
  • ドライバー数:1
  • ゲートタイプ:IGBT
  • ロジック電圧 - V I L、 V I H:-
  • 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):35A, 35A
  • ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):6500 V
  • 上昇/下降時間(標準):9ns, 30ns
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
1SP0335V2M1-MBN750H65E2 fornecido por Power Integrations
1988 年に設立された Power Integrations, Inc. (NASDAQ: POWI) は、高電圧電力変換用半導体技術のリーディングイノベーターです。当社の PowiGaN™ 窒化ガリウム技術や EcoSmart™ エネルギー効率化技術などの省エネ技術は、毎年数十億キロワット時のエネルギーの無駄を防ぎ、当社の高度に統合されたチップは毎年数十億個の電子部品を節約しています。当社は、AC-DC 変換、LED ドライバー、ゲート ドライバー、モーター ドライバー、自動車ソリューションなど、革新的な製品とソリューションを提供しています。当社の製品は、クリーン電力エコシステムの重要な構成要素であり、家電製品、モバイル デバイス、コンピューター、無数の産業用アプリケーションなど、幅広いアプリケーションで再生可能エネルギーの生成と電力の効率的な伝送と消費を可能にします。
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