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Power Integrations SID1183K
IC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16B
N.º de pieza del fabricante :SID1183K
Fabricante :Power Integrations
Dasenic Número de pieza :SID1183K-DS
Ficha de datos :
SID1183K Ficha de datos
SID1183K Ficha de datosReferencia de cliente :
Descripción : IC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16B
Precio (USD) : *Para solicitar el precio, haga clic en el botón Enviar precio objetivo a la derecha
| Cantidad | Precio unitario | Total |
| 1+ | $ 4.3380 | $ 4.34 |
| 10+ | $ 4.1211 | $ 41.21 |
| 100+ | $ 3.9042 | $ 390.42 |
| 1000+ | $ 3.6873 | $ 3687.3 |
| 10000+ | $ 3.4704 | $ 34704 |
En stock: 40671
MOQ :1 PCS
Paquete :-
El tiempo de entrega :Envío en 48 horas
Origen del envío :Almacén de Shenzhen o Hong Kong
Cantidad :
Precio unitario :$ 4.338
Total :$ 4.34
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SID1183K información
Power Integrations SID1183K especificaciones técnicas, atributos, parámetros.
- Categoría:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
- 入力タイプ:Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:eSOP-R16B
- 電圧 - 供給:4.75V ~ 5.25V
- チャンネルタイプ:Single
- 駆動構成:High-Side or Low-Side
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.5V, 3.3V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:8A, 48A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:465ns, 460ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- REACH規則:Vendor is not defined
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
SID1183K fornecido por Power Integrations
1988 年に設立された Power Integrations, Inc. (NASDAQ: POWI) は、高電圧電力変換用半導体技術のリーディングイノベーターです。当社の PowiGaN™ 窒化ガリウム技術や EcoSmart™ エネルギー効率化技術などの省エネ技術は、毎年数十億キロワット時のエネルギーの無駄を防ぎ、当社の高度に統合されたチップは毎年数十億個の電子部品を節約しています。当社は、AC-DC 変換、LED ドライバー、ゲート ドライバー、モーター ドライバー、自動車ソリューションなど、革新的な製品とソリューションを提供しています。当社の製品は、クリーン電力エコシステムの重要な構成要素であり、家電製品、モバイル デバイス、コンピューター、無数の産業用アプリケーションなど、幅広いアプリケーションで再生可能エネルギーの生成と電力の効率的な伝送と消費を可能にします。
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